Art

J-GLOBAL ID：200902163560082345   Reference number：98A0261456

Study of Carrier Emission and Capture Processes at Electron Traps in 3C-SiC.

3C-SiC中の電子捕獲中心におけるキャリア放出と捕獲の過程の研究

Author (6)： ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KOGA Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ABE T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YAMADA N (Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN) ,  TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 1A/B  Page： L18-L20  Publication year： Jan. 15, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (12)：

• 1) Properties of Silicon Carbide, ed. G. L. Harris (INSPEC, IEE, London, 1995) Chap. 9.
• 2) P. Zhou, M. G. Spencer, G. L. Harris and K. Fekade: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 1384
• 3) V. Nagesh, J. W. Farmer, R. F. Davis and H. S. Kong: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 1138
• 4) K. Zekentes, M. Kayiambaki and G. Constantinidis: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3015
• 5) S. E. Saddow, M. Lang, T. Dalibor, G. Pensl and P. G. Neudeck: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3612

Terms in the title (6)： 3C-SiC ,  電子捕獲 ,  キャリア放出 ,  捕獲 ,  過程 ,  研究