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J-GLOBAL ID：200902192176255259   Reference number：01A0486692

Monitoring of Si Molecular-Beam Epitaxial Growth by an Ellipsometric Method.

偏光解析法によるSi分子ビームエピタキシャル成長の監視

Author (6)： YOSHIOKA Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IKUTA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAJI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MIZOBATA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UMENO M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 40  Issue： 1  Page： 371-375  Publication year： Jan. 15, 2001 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： RHEED振動

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Reference (20)：

• 1) C. Pickering, R. T. Carline, D. J. Robbins, W. Y. Leong, D. E. Gray and R. Greef: Thin Solid Films 223 (1993) 126.
• 2) F. Hottier and G. Laurence: Appl. Phys. Lett. 38 (1981) 863.
• 3) Y. Yoshioka, T. Hashimoto, Y. Shigesada and T. Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4595.
• 4) J.-S. Lee, S. Sugou and Y. Matsumoto: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L614.
• 5) W. Kern and D. Puotinen: RCA Rev. 31 (1970) 187.

Terms in the title (3)： 偏光解析法 ,  Si ,  分子ビームエピタキシャル成長