Art

J-GLOBAL ID：200902194176896940   Reference number：00A1038264

Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium. CVD Si_1-xGe_x Epitaxial Growth and Its Doping Control.

21世紀を拓く薄膜結晶成長 CVD Si_1-xGe_xエピタキシャル成長とドーピング制御

Author (3)： MUROTA JUN'ICHI (東北大 電通研) ,  SAKURABA MASAO (東北大 電通研) ,  MATSUURA TAKASHI (東北大 電通研)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 27  Issue： 4  Page： 171-178  Publication year： Oct. 25, 2000 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A1038264&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (20)：

• 1) MEYERSON B. S. Appl. Phys. Lett.. (1986) vol.48, p.797.
• 2) MUROTA J. Appl. Phys. Lett.. (1989) vol.54, p.1007.
• 3) MUROTA J. J.Phys.IV France. (1991) vol.1, p.C2-795.
• 4) AGNELLO P. D. J. Electrochem. Soc.. (1992) vol.139, p.1140.
• 5) BEAN J. C. J. Vac. Sci. Technol.. (1984) vol.A2, p.436.

Terms in the title (5)： 21世紀 ,  薄膜結晶成長 ,  CVD ,  エピタキシャル成長 ,  ドーピング