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J-GLOBAL ID：200902203038954407   Reference number：08A0557342

Excitation-Density Dependence of Photoluminescence from Si-Doped AlGaN/AlGaN Multiple Quantum Wells at Low Temperature

SiをドープしたAlGaN/AlGaN量子井戸からの低温における励起密度に依存する光ルミネセンス

Author (4)： KAJITANI Ryo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (RIKEN, Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 1 Issue 1  Page： 47-50  Publication year： Jan. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： doping ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  compound semiconductor ,  heterojunction ,  *quantum well ,  laser excitation ,  *photoluminescence ,  silicon ,  carrier injection ,  ultraviolet emission spectrum ,  dielectric polarization ,  electric field ,  radiationless transition ,  FWHM ,  internal electric field ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： aluminium gallium nitride ,  励起強度

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (24)：

• V. Fiorentini, F. Bernardini, F. D. Sala, A. D. Carlo, and P. Lugli: Phys. Rev. B 60(1999)8849.
• A. D. Carlo, F. O. Sala, P. Lugli, V. Fiorentini, and F. Bernardini: Appl. Phys. Lett.76(2000)3950.
• S. Watanabe, N. Yamada, Y. Yamada, T. Taguchi, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki: Phys. Status Solidi B 216(1999)335.
• S. Chichibu, D. A. Cohen, M. P. Mack, A. C. Abare, P. Kozodoy, M. S. Minsky, S. Fleischer, S. Keller, J. E. Bowers, U. K. Mishra, L. A. Coldren, D. R. Clarke, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett.73(1998)496.
• Y.-H. Cho, J. J. Song, S. Keller, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett.73(1998)1128.

Terms in the title (8)： Si ,  ドープ ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  低温 ,  励起 ,  密度 ,  光ルミネセンス