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J-GLOBAL ID：200902205495338650   Reference number：05A0661533

Fabrication of HfO₂/Si structure and its characterization using HR-RBS

堆積金属酸化法によるHfO₂/Si構造の作成とその高分解能RBS評価

Author (4)： UENO TOMOO (東京農工大 工) ,  NAGASATO YOSHITAKA (東京農工大 工) ,  KOBAYASHI AKIKO (東京農工大 工) ,  IRINO SHIN (東京農工大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 105  Issue： 108(SDM2005 58-69)  Page： 67-72  Publication year： Jun. 02, 2005 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor device ,...
Semi thesaurus term： RBS分光法 ,...

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JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (8)：

• 岩井洋. VLSI Report. 2001, 13-28
• 鳥海明. 電子情報通信学会論文誌. 2001, 84, 2, 76-89
• 丹羽正昭. 応用物理. 2003, 73, 9
• NAGASATO, Yoshitaka. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 5
• NAGASATO, Yoshitaka. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 1665

Terms in the title (6)： 堆積 ,  酸化 ,  HfO2 ,  Si ,  高分解能 ,  評価