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J-GLOBAL ID：200902262024223899   Reference number：05A0494573

Novel Fabrication Process for HfO₂ Thin Film for Gate Dielectric

ゲート誘電体用のHfO₂薄膜を作製するための新しいプロセス

Author (2)： NAGASATO Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO Tomo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 4A  Page： 1665-1668  Publication year： Apr. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dielectric thin film ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (8)：

• 1) M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee and K. Fujihara: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1071.
• 2) G. D. Wink, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 87 (2000) 484.
• 3) B. K. Park, M. Cho and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2368.
• 4) M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee and K. Fujihara: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 472.
• 5) S. Sayan, E. Garfunkel and S. Suzer: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2135.

Terms in the title (5)： ゲート誘電体 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  プロセス