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J-GLOBAL ID：200902208234921659   Reference number：09A0334323

Investigation on Characteristic Variation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Using Laterally Grown Film

横に成長したフィルムを使った多結晶Si TFTの特性変化に関する研究

Author (3)： AKIYAMA Koji (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  WATANABE Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 3,Issue 3  Page： 03B014.1-03B014.5  Publication year： Mar. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  polycrystal ,  *characteristic ,  *variation ,  crystal grain ,  growth ,  carrier mobility ,  potential barrier

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (22)：

• J. F. Gibbons and K. F. Lee: IEEE Electron Device Lett.1(1980)117.
• J. P. Coling and E. Demoulin: IEEE Electron Device Lett.2(1981)250.
• C. H. Oh, M. Ozawa, and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.37(1998) L492.
• Y. Taniguchi, T. Endo, K. Azuma, M. Matsumura, and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)947.
• A. Hara, K. Yoshino, F. Takeuchi, and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)23.

Terms in the title (5)： 成長 ,  フィルム ,  多結晶Si ,  TFT ,  研究