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J-GLOBAL ID：200902215057257880   Reference number：09A0334351

Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain

InPホットエレクトロントランジスタにおける高相互コンダクタンスと高電圧利得に対するゲート絶縁の改良

Author (3)： SAITO Hisashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 3  Page： 034501.1-034501.3  Publication year： Mar. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,  compound semiconductor ,  *hot electron ,  mutual conductance ,  gain ,  gate (semiconductor) ,  voltage ,  dielectric breakdown ,  *transistor ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： *ホットエレクトロントランジスタ ,  transconductance ,  絶縁性 ,  breakdown voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (12)：

• MIYAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 7221
• SUWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L202
• SUWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L617
• IGARASHI, M. Phys. Status Solidi C. 2008, 5, 70
• IDA, M. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 694

Terms in the title (6)： InP ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  高電圧利得 ,  ゲート ,  絶縁