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J-GLOBAL ID：200902219513226539   Reference number：08A0557513

Properties of Methyl Boron Nitride Film for Next Generation Low-κ Interconnection

次世代のローk相互配線を目的としたメチル化された窒化ホウ素薄膜の特性

Author (7)： TOKUYAMA Shinji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HARA Makoto (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAZUMDER Motaharu Kabir (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Daisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIMURA Chiharu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI Hidemitsu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGINO Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 4 Issue 2  Page： 2492-2495  Publication year： Apr. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *wiring ,  *boron nitride ,  *Methylation ,  *insulating material ,  *dielectric thin film ,  organoboron compound ,  Young's modulus ,  etching ,  fron ,  *insulator
Semi thesaurus term： *interconnect

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Tetrafluoromethane

Reference (10)：

• A. Grill and V. Patel: Appl. Phys. Lett.79(2001)803.
• L. L. Chapelon, J. Vitiello, D. Neira, J. Torres, J. C. Royer, D. Barbier, F. Naudin, G. Tas, P. Mukundhan, and J. Clerico: Microelectron. Eng.83(2006)2346.
• C. Morant, D. Cáceres, J. M. Sanz, and E. Eliza1de: Diamond Relat. Mater.16(2007)1441.
• K. Watanabe, T. Taniguchi, and H. Kanda: Nat. Mater.3(2004)404.
• K. P. Loh, I. Sakaguchi, M. N. Gamo, S. Tagawa, T. Sugino, and T. Ando: Appl, Phys. Lett.74(1999)28.

Terms in the title (5)： 次世代 ,  相互配線 ,  メチル化 ,  窒化ホウ素 ,  薄膜