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J-GLOBAL ID：200902245178108942   Reference number：09A1035287

Suppression of Defects during Metal-Induced Lateral Crystallization of Polycrystalline-Silicon Thin Films by Directed Lateral Growth

多結晶シリコン薄膜の金属誘起横方向結晶化の過程における指向性横方向成長による欠陥の抑制

Author (4)： KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KAMBARA Junji (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KOBATA Mitsunori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  TSUDA Hiroshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 9,Issue 1  Page： 091203.1-091203.5  Publication year： Sep. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polycrystal ,  *silicon ,  polysilicon ,  *semiconductor thin film ,  semiconductor ,  *crystallization ,  epitaxy ,  lattice defect ,  defect density ,  catalyst ,  Nickel ,  solid phase growth ,  microscopic Raman spectroscopy ,  Raman spectrum ,  scanning electron microscope ,  transmission electron microscope ,  substrate temperature ,  *metal induced lateral crystallization ,  lateral growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (18)：

• S. Yoshimoto, C.-H. Oh, and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.40(2001)4466.
• M. Tai, M. Hatano, S. Yamaguchi, S. K. Park, T. Noda, M. Hongo, T. Shibata, and M. Ohkura: Dig. Tech. Pap. Int. Workshop AM-LCD, Tokyo, 2002, p. 231.
• J. S. Im, R. S. Sposili, and M. A. Crowder: Appl. Phys. Lett.70(1997)3434.
• A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002) L311.
• C. Hayzelden and J. L. Batstone: J. Appl. Phys.73(1993)8279.

Terms in the title (7)： 多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  金属誘起横方向結晶化 ,  過程 ,  指向性 ,  横方向成長 ,  欠陥