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J-GLOBAL ID：200902248001882159   Reference number：04A0504166

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep UV Lithography: IIIb. Optimization of PAG and Its Content

深UVリソグラフィーのための化学増幅を用いる表面シリル化1重層レジスト:IIIb。PAGとその含量の最適化

Author (5)： SUGITA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MIYATA H (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARADA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUSHIDA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SAITO K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Journal of Photopolymer Science and Technology  (フォトポリマー懇話会誌)
Volume： 17  Issue： 3  Page： 373-378  Publication year： 2004 
JST Material Number： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photolithography ,...
Semi thesaurus term： ポジティブ型レジスト

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Other reactions of polymer  (CG03040H)

Reference (9)：

• 1) K. Sugita, M. Yamashita, C. M. Liew, K. Harada, M. Kushida, and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40 (2001), 6658-6662.
• 2) K. Sugita, M. Yamashita, K. Harada, M. Kushida, and K. Saito, J. Photopolym. Sci. Technol., 13 (2002), 367-370. input-division=E
• 3) S. Kishimura, M. Sasago, M. Shirai, and M. Tsunooka, Jpn. J. Appl. Phys., 38 (1999) 7104.
• 4) N. N. Matsuzawa, H. Oizumi, S. Mori, S. Irie, S. Shirayone, E. Yano, S. Okazaki, A. Ishitani, and D. A. Dixon, Jpn. J. Appl. Phys., 38 (1999) 7109.
• 5) H. Ito, E. Flores and A. F. Ronaldo, J. Electrochem. Soc., 135 (1988) 2322-2327.

Terms in the title (9)： 深UV ,  リソグラフィー ,  化学 ,  増幅 ,  シリル化 ,  1重層 ,  レジスト ,  含量 ,  最適化