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J-GLOBAL ID：200902251703708069   Reference number：04A0196404

Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers

多層チャネルMOSFETの提案 Si/SiGe積層への選択エッチング適用

Author (5)： SASAKI D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHMI S (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAKURABA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MUROTA J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAKAI T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 224  Issue： 1/4  Page： 270-273  Publication year： Mar. 15, 2004 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *multilayer film ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： 多層 ,  チャネル ,  MOSFET ,  提案 ,  Si ,  SiGe ,  選択エッチング