Art

J-GLOBAL ID：200902255143731324   Reference number：09A0812732

Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection

電流注入下のp型/ユウロピウムドープ/n型窒化ガリウム発光ダイオードからの室温赤色発光

Author (5)： NISHIKAWA Atsushi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWASAKI Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FURUKAWA Naoki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAI Yoshikazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUJIWARA Yasufumi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 7  Page： 071004.1-071004.3  Publication year： Jul. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： injection(pour) ,  *light emitting diode ,  *gallium nitride ,  red ,  MOCVD ,  semiconductor integrated circuit ,  doping ,  europium ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  semiconductor material ,  compound semiconductor ,  voltage ,  *photoluminescence
Semi thesaurus term： current injection ,  electrical low voltage

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (16)：

• STECKL, A. J. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2002, 8, 749
• STECKL, A. J. Mater. Today. 2007, 10, 7-8, 20
• FAVENNEC, P. N. Electron. Lett. 1989, 25, 718
• KOIZUMI, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2223
• KOIZUMI, A. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4521

Terms in the title (7)： 電流注入 ,  ユウロピウム ,  ドープ ,  窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  室温 ,  赤色発光