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J-GLOBAL ID：200902256169573545   Reference number：09A0458581

AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures on Silicon Substrates for High Breakdown Voltage Field-Effect Transistors with low On-Resistance

低オン抵抗の高破壊電圧電界効果トランジスタのためのシリコン基板上のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造

Author (11)： VISALLI Domenica (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  VISALLI Domenica (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  VAN HOVE Marleen (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  DERLUYN Joff (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  DEGROOTE Stefan (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  LEYS Maarten (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  CHENG Kai (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  CHENG Kai (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  GERMAIN Marianne (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  BORGHS Gustaaf (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  BORGHS Gustaaf (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 4,Issue 2  Page： 04C101.1-04C101.4  Publication year： Apr. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *voltage ,  resistance ,  *FET ,  gallium nitride ,  aluminum nitride ,  Aluminum ,  concentration (ratio) ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： breakdown voltage ,  field plate

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (12)：

• S. Arulkumaran, T. Egawa, S. Matsui, and H. Ishikawa: Appl. Phys. Lett.86(2005)123503.
• M. Hikita, M. Yanagihara, K. Nakazawa, H. Ueno, Y. Hirose, T. Ueda, Y. Uemoto, T. Tanaka, D. Ueda, and T. Egawa: IEEE Trans. Electron Devices 52(2005)1963.
• Y. Choi, M. Pophristic, H. Cha, B. Peres, M. Spencer, and L. Eastman: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)2926.
• S. Kato, Y. Satoh, H. Sasaki, I. Masayuki, and S. Yoshida: J. Cryst. Growth 298(2007)831.
• N. Ikeda, S. Kaya, J. Li, Y. Sato, S. Kato, and S. Yoshida: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, 2008, p. 287.

Terms in the title (7)： オン抵抗 ,  破壊電圧 ,  電界効果トランジスタ ,  シリコン基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造