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J-GLOBAL ID：200902258396652349   Reference number：09A0285066

Calculation of Ion Concentration Profile at Pulse Voltage with Finite Rise and Fall Times in Plasma Ion Implantation

プラズマイオン注入におけるパルス電圧形状を考慮したイオン注入分布の算出

Author (1)： HASHIMOTO YOSHIYUKI (神戸市工高専)
Material： プラズマ応用科学  (Applied Plasma Science)
Volume： 16  Issue： 2  Page： 99-104  Publication year： Dec. 2008 
JST Material Number： L4460A  ISSN： 1340-3214  CODEN： POKAFE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ion implantation ,  voltage ,  morphology (form) ,  *electric power source equipment ,  parameter ,  current-voltage characteristic ,  *depth distribution
Semi thesaurus term： *プラズマイオン注入 ,  pulse voltage ,  morphology ,  *pulsed power supply

JST classification (1)： Applications of plasma  (BJ02110K)

Reference (8)：

• J. R. Conrad: “Sheath thickness and potential profiles of ion-matrix sheaths for cylindrical and spherical electrodes”, J. Appl. Phys. Vol.62(1987) pp. 777-779.
• J. R. Conrad and J. L. Radtke: “Plasma source ion-implantation technique for surface modification of materials”, J. Appl. Phys. Vol.62(1987) pp. 4591-4596.
• J. R. Conrad, S. Baumann, R. Fleming, and G P. Meeker: “Plasma source ion implantation dose uniformity of a 2×2 array of spherical targets”, J. Appl. Phys. Vol.65(1989) pp. 1707-1712.
• M. A. Lieberman: “Model of plasma immersion ion implantation”, J. Appl. Phys. Vol.66(1989) pp. 2926-2929.
• R. A. Stewart and M. A. Lieberman: “Model of plasma immersion ion implantation for voltage pulses with finite rise and fall times”, J. Appl. Phys. Vol.70(1991) pp. 3481-3487.

Terms in the title (4)： プラズマイオン注入 ,  パルス電圧 ,  イオン注入 ,  分布