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J-GLOBAL ID：200902275621933494   Reference number：09A0334313

Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO₂ Structures

積み重ねたGe/Si/SiO₂構造の固相結晶化へのSi層厚みの効果

Author (3)： SADOH Taizoh (Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OHTA Hiroki (Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 3,Issue 3  Page： 03B004.1-03B004.3  Publication year： Mar. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *germanium ,  *silicon ,  *silicon oxide ,  solid phase ,  *crystallization ,  amorphous silicon ,  insertion ,  nucleation ,  particle size(diameter) ,  interface(surface) ,  modulated structure

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (17)：

• T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao: Appl. Phys. Lett.89(2006)192114.
• I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Sadoh. and M. Miyao: Appl. Surf. Sci.224(2004)231.
• S. Yamaguchi, N. Sugii, S. K. Park, K. Nakagawa, and M. Miyao: J. Appl. Phys.89(2001)2091.
• M. Miyao, I. Tsunoda, T. Sadoh, and A. Kenjo: Thin Solid Films 383(2001)104.
• H. Watakabe, T. Sameshima, H. Kanno, and M. Miyao: Thin Solid Films 508(2006)315.

Terms in the title (7)： Ge ,  Si ,  SiO2 ,  固相 ,  結晶化 ,  Si層 ,  厚み