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J-GLOBAL ID：200902275841285000   Reference number：09A0055121

Fullerene Grafted Photoacid Generator (PAG) Bound Polymer Resists

フラーレングラフト化光酸発生剤(PAG)結合重合体レジスト

Author (4)： WANG Mingxing (Univ. North Carolina, North Carolina, USA) ,  LEE Cheng-Tsung (Georgia Inst. Technol. Atlanta, Georgia, USA) ,  HENDERSON Clifford L. (Georgia Inst. Technol. Atlanta, Georgia, USA) ,  GONSALVES Kenneth E (Univ. North Carolina, North Carolina, USA)
Material： Journal of Photopolymer Science and Technology  (フォトポリマー懇話会誌)
Volume： 21  Issue： 6  Page： 747-751  Publication year： 2008 
JST Material Number： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoacid generator ,  *chemically amplified resist ,  extreme ultraviolet ,  *fullerene C60 ,  chemical modification ,  radical polymerization ,  copolymerization ,  multi-component copolymer ,  sulfonic acid ,  sulfonium ,  photolithography ,  thermal stability ,  glass transition point ,  sensitivity (ratio) ,  resolving power ,  aliphatic aldehyde

JST classification (2)： Copolymerization  (CG04030D) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (6)： 4-(Allyloxy)benzaldehyde ,  4-Vinylphenol ,  Methacrylic acid 2-ethyl-2-adamantyl ester ,  Heptanal ,  HadMA ,  Methacrylic acid 3,4,4-trifluoro-4-sulfonatobutyl ester

Reference (15)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2005, Lithography, http://public. itrs.net/.
• R. H. Sttlen, D. W. Sweeney, Extreme ultraviolet lithography. IEEE Journal of Quantum Electronics, 35(1999), 694.
• K. L. Covert, D. J. Russell, J Appl. Polym. Sci,.49(1993), 657.
• M. Wang, N. D. Jarnagin, W. Yueh, J. M. Roberts, K. E, Gonsalves, J. Mater. Chem., 16(2006), 3701.
• M. Wang, K. E. Gonsalves, W. Yueh, J. M. Roberts, Macromol. Rapid Commun., 27(2006), 1590.

Terms in the title (3)： 光酸発生剤 ,  重合体 ,  レジスト