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J-GLOBAL ID：200902285427318466   Reference number：06A0044764

ADSORPTION BEHAVIOR OF CHEMICAL CONTAMINANTS ON SILICON WAFER SURFACE BY MOLECULAR SIMULATION

分子シミュレーションによるシリコンウェハ表面のケミカル汚染物質の吸着挙動

Author (2)： TAKATSUKA TAKESHI (新日本空調 技研) ,  GODO MASAZUMI (新日本空調 技研)
Material： 日本建築学会環境系論文集  (Journal of Environmental Engineering (Transactions of AIJ))
Issue： 599  Page： 159-165  Publication year： Jan. 30, 2006 
JST Material Number： L4761A  ISSN： 1348-0685  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： semiconductor industry ,...
Semi thesaurus term： *volatile organic compound ,...

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JST classification (2)： Air conditioning in general  (PC01000C) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (20)：

• 白水好美. ウェーハ表面残留有機物の酸化膜の信頼性に及ぼす影響. 第41回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1994. 1994, 650
• 滝山真功. 炭素化合物汚染による酸化膜耐圧劣化要因の検討. 第42回応用物理学会関係連合講演会予稿集, 1995. 1995, 704
• YOSHINO, Takenobu. Influence of Organic Contaminant on Breakdown Characteristics of MOS Capacitors with Thin SiO_2. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 2849-2853
• SAGA, K. Identification and Removal of Trance Organic Contamination on Silicon Wafers Stored in Plastic Boxes. J. Electrochem. Soc. 1996, 143, 10, 3279-3284
• 高萩隆行. シリコンウエハー表面有機汚染物の吸着挙動. 応用物理. 1997, 66, 12, 1311-1315

Terms in the title (7)： 分子シミュレーション ,  シリコン ,  ウェハ表面 ,  ケミカル ,  汚染物質 ,  吸着 ,  挙動