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J-GLOBAL ID：200902296223773018   Reference number：06A0246773

Decananometer Surrounding Gate Transistor (SGT) Scalability by Using an Intrinsically-Doped Body and Gate Work Function Engineering

真性ドープされた母体とゲート仕事関数エンジニアリングを用いることによるデカナノメータサラウンディングゲートトランジスタ(SGT)のスケーラビリティ

Author (5)： YAMAMOTO Yasue (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto-shi, JPN) ,  HIDAKA Takeshi (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  NAKAMURA Hiroki (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  SAKURABA Hiroshi (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  MASUOKA Fujio (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN)
Material： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng))
Volume： E89-C  Issue： 4  Page： 560-567  Publication year： Apr. 01, 2006 
JST Material Number： L1370A  ISSN： 0916-8524  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors. 2004
• TAKATO, H. High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs. IEDM Tech. Dig., 1988. 1988, 222-225
• COLINGE, J. P. Silicon-on-insulator gate-all-around device. IEDM Tech. Dig., 1990. 1990, 595-598
• HARRISON, S. Highly performant double gate MOSFET realized with SON process. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 449-452
• HIEDA, K. Effect of a new trench-isolated transistor using sidewall gate. IEEE Trans. Electron Devices. 1989, 36, 9, 1615-1619

Terms in the title (6)： ドープ ,  母体 ,  ゲート ,  仕事関数 ,  エンジニアリング ,  スケーラビリティ