Art

J-GLOBAL ID：200902298613648810   Reference number：09A1035325

In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001) Si Face

6H-SiC(0001)Si面の熱分解と水素エッチング速度のその場重量測定監視

Author (9)： AKIYAMA Kazuhiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHII Yasuhiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ABE Sohei (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUMAGAI Yoshinao (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA Hironori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 9,Issue 1  Page： 095505.1-095505.4  Publication year： Sep. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  machining speed ,  *thermal decomposition ,  Hydrogen ,  gravimetry ,  monitor ,  substrate temperature ,  desorption ,  surface reaction ,  surface structure ,  *etching ,  surface morphology ,  *6H-silicon carbide ,  structure
Semi thesaurus term： *6H-SiC ,  etch rate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (24)：

• K. Hamada: Phys. Status Solidi B 245(2008)1223.
• N. Onojima, J. Suda, and H. Matsunami: J. Cryst. Growth 237-239(2002)1012.
• K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys.46(2007) L307.
• M. hnura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bandoh: J. Cryst. Growth 310(2008)2308.
• Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43(1978)209.

Terms in the title (6)： 6H-SiC ,  Si ,  熱分解 ,  水素 ,  エッチング速度 ,  重量測定