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J-GLOBAL ID：200903000023306161

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
澤木 宣彦

About 澤木 宣彦

, 
小出 典克

About 小出 典克

, 
山本 健作

About 山本 健作


Applicant, Patent owner：
澤木 宣彦

About 澤木 宣彦

, 
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003064968
Publication number (International publication number)：2003347585
Application date： Mar. 11, 2003
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 井戸層の厚さを変えることで容易に発光波長を制御でき、1チップで多色光発光が可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子は、シリコン基板1と、シリコン基板1の主面上に形成された一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層とを備える。シリコン基板1は、このシリコン基板1の主面より62度の傾斜した面、もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を備え、該斜面上に厚さの異なる量子井戸層3aを複数積層する。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に形成され一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層とを備え、前記基板は、該基板の主面より62度傾斜した面かもしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を有し、前記化合物半導体層は前記斜面上に形成されるベース層と、該ベース層上に形成される活性層とを含み、前記活性層は、井戸層と障壁層を交互に積層した構造からなり、前記活性層の井戸層の厚さが2nm以上10nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
F-Term (17)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041CB25 ,  5F041CB29 ,  5F041DB07 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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