スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004132621
Publication number (International publication number)：2005314734
Application date： Apr. 28, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたTFT(薄膜トランジスタ)基板の製造方法を提供することである。【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pdからなる第1金属群M1から選ばれた1種又は2種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第2金属群M2から選ばれた1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極7等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、TFT基板の製造工程が簡略化される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化インジウムを主成分とし、 W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pdからなる第1金属群M1から選ばれた1種又は2種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第2金属群M2から選ばれた1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲット。

IPC (9)：

C23C14/08 , C23C14/34 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L29/786

FI (10)：

C23C14/08 D , C23C14/34 A , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01B5/14 A , H01L21/28 301R , H01L21/285 S , H01L29/78 612C , H01L21/88 M , H01L29/78 616V

F-Term (83)：

2H092GA11 , 2H092HA04 , 2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092PA01 , 4K029BA45 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD00 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC02 , 4K029DC05 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104DD40 , 4M104FF13 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK05 , 5F033KK08 , 5F033KK17 , 5F033LL02 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033VV15 , 5F033WW04 , 5F033XX09 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE37 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HM18 , 5F110HM19 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭63-184726号公報
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-344678 Applicant：現代電子産業株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-219511 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-179441 Applicant：三井金属鉱業株式会社
透明導電積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-313386 Applicant：出光興産株式会社
薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049060 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page