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J-GLOBAL ID：200903000441114236

レジストパターン形成方法

Inventor：
渡辺 実

About 渡辺 実


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000125572
Publication number (International publication number)：2001307993
Application date： Apr. 26, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】 精度良く微細なレジストパターンを形成する。【解決手段】 回路パターンマスク3による露光・現像処理で、レジストパターン2aを形成した後、このレジストパターン2aの微細化を行う部分に対して照射マスク4を介して選択的にレーザを照射する。更に、ホットプレート6の温度分布を補正するための補正マスク5を介して、レジストパターン2aにレーザを照射する。レジストパターン2aにレーザを照射した後、シリコン基板1をホットプレート6で加熱する。レーザ光エネルギが照射されたレジスト材2は、溶融温度が低下するので、比較的低温度でこのレジスト材2が溶融し、レジストパターン2aの間隔が狭くなり、微細なレジストパターン2bを精度よく形成することができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にフォトレジストを塗布する塗布処理と、前記半導体基板上に塗布されたフォトレジスト表面に所定のパターンが描かれたフォトマスクを介してレーザ光を当てて露光する露光処理と、前記露光されたフォトレジストを現像して前記半導体基板上に前記所定のパターンと同一形状の第1のレジストパターンを形成する現像処理と、前記半導体基板上に形成された第1のレジストパターン表面に所定量の光エネルギを照射することにより、該第1のレジストパターンを構成するフォトレジストの溶融温度を低下させる照射処理と、前記照射処理の施された半導体基板を所定時間だけ所定の温度に加熱することにより、前記第1のレジストパターンを熱によって変形させてパターン間隔が縮小された第2のレジストパターンを形成する加熱処理とを、行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 511
FI (6)：
G03F 7/095 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 515 B
F-Term (36)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BJ08 ,  2H025CB59 ,  2H025DA13 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA04 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096KA02 ,  2H096KA07 ,  2H096KA30 ,  2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097BB01 ,  2H097CA17 ,  2H097EA01 ,  2H097GA45 ,  2H097HB03 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5F046AA25 ,  5F046CA03 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA26 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (6)
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