半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高田守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998223278
Publication number (International publication number)：2000058506
Application date： Aug. 06, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】ホール径やラインパターンの分離幅の微小なレジストパターンを形成し、微小なパターンを有する半導体デバイスを得る。【解決手段】半導体基板上に酸を供給し得る第1レジストのホールパターンあるいは分離パターンを形成し、第1レジストのパターン側壁に架橋膜(有機枠)を形成してレジストパターンのホール径あるいは分離幅を縮小し、さらに架橋膜の熱リフロー現象により分離を縮小し、このレジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングする。

Claim (excerpt)：

半導体基材上に酸を発生し得る第1のレジストによる第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンの上に酸の存在により架橋反応を起こす第2のレジストの膜を形成する工程と、前記第1レジストパターンからの酸の供給により前記第2のレジストの膜の前記第1レジストパターンに接する部分に架橋膜を形成する処理工程と、前記第2のレジストの膜の非架橋部分を剥離して前記第1レジストパターンに前記架橋膜を被着した第2レジストパターンを形成する工程と、加熱処理により前記架橋膜をリフローさせ前記第2レジストパターンの相互間隔を縮小させる工程と、前記架橋膜をリフローさせた前記第2レジストパターンをマスクとして前記半導体基材をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (3)：

5F004AA04 , 5F004AA16 , 5F004EB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249038 Applicant：日本アイ・ビー・エム株式会社
パタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042826 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347861 Applicant：株式会社東芝

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