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J-GLOBAL ID:200903000819360370
薄膜材料の精密切り出し加工方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002064131
Publication number (International publication number):2003266397
Application date: Mar. 08, 2002
Publication date: Sep. 24, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ナノオーダの仕上げ面粗さで且つ損傷が少なく圧電薄膜材料を所定形状に効率よく切り出すことができる薄膜材料の精密切り出し方法を提供することにある。【解決手段】 板状の薄膜材料の表面を研磨する第1工程と、この研磨面の切断すべき位置に微細溝加工を施す第2工程と、前記薄膜材料を上下反転させて裏面を研磨する際、上記加工した微細溝に到達するまで研磨することにより薄膜材料の切り出しを行う第3工程とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
板状の薄膜材料の表面を研磨する第1工程と、この研磨面の切断すべき位置に微細溝加工を施す第2工程と、前記薄膜材料を上下反転させて裏面を研磨する際、上記加工した微細溝に到達するまで研磨することにより薄膜材料の切り出しを行う第3工程とを有することを特徴とする薄膜材料の精密切り出し加工方法。
IPC (3):
B81C 5/00
, B24C 1/04
, H01L 41/22
FI (3):
B81C 5/00
, B24C 1/04 B
, H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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弾性表面波素子の分割方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-109024
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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特開平3-087027
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特開平3-087027
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特開昭63-261851
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特開昭63-261851
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水晶振動子の製造方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-093025
Applicant:財団法人北海道科学・産業技術振興財団
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遊離微粒子噴射加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-352099
Applicant:ソニー株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-278140
Applicant:関西日本電気株式会社
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多層配線構造をもつ半導体装置およびその製造方法。
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-003601
Applicant:日本電気株式会社
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特開平3-087027
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特開昭63-261851
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圧電単結晶基板の切断加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-061153
Applicant:日本碍子株式会社
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