半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098694
Publication number (International publication number)：1999297071
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体メモリの電源回路を低消費電力化する。特にアクティブスタンバイ電流を低減する。【解決手段】それぞれ活性化コマンドにより独立に活性化できる複数のメモリバンクと、メモリバンクのそれぞれに対応して設けられ、それぞれ外部電源電圧を受けて所定の内部電源電圧を出力する複数の電源回路とを備え、電源回路の出力は対応するメモリバンクにそれぞれ接続され、メモリバンクの一つを活性化するコマンドに応答して、電源回路のうち当該バンクに対応して設けられた電源回路をオンとし、残る電源回路はオフとする。

Claim (excerpt)：

第1及び第2コマンドによりそれぞれ活性化される第1及び第2メモリバンクと、前記第1及び第2メモリバンクに渡って配線され、前記第1及び第2メモリバンクに所定電圧を供給するための電源配線と、上記第1及び第2メモリバンクのそれぞれの近傍に設けられ、それぞれの出力ノードが前記電源配線に結合され、前記所定電圧を発生する第1及び第2電源回路とを備え、前記第1コマンドに応答して、前記第1電源回路は前記所定電圧の発生を開始し、前記第1メモリバンクの活性状態を維持した状態で前記第2コマンドが入力される時、前記第1電源回路は前記第2コマンドに応答して前記所定電圧の発生を停止し、前記第2電源回路は前記第2コマンドに応答して前記所定電圧の発生を開始することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

G11C 11/407 , G11C 11/413 , G11C 11/401 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 371 K , H01L 27/10 681 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-024930 Applicant：富士通株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164574 Applicant：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281874 Applicant：三菱電機株式会社

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