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J-GLOBAL ID：200903001048083376

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 徳満 洋司 ,  只友 一行 ,  星野 勝之 ,  田口 常正 ,  久保 秀一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人山口大学 ,  三菱化学株式会社
Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006299348
Publication number (International publication number)：2008117922
Application date： Nov. 02, 2006
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】発光効率の高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、第1面10a及び第2面11bを有する第1導電型半導体を含む第1領域Aと、第1面13a及び第2面15aを有する第2導電型半導体を含む第2領域Bと、前記第1領域Aの第2面11bと前記第2領域Bの第1面13aとの間に配置された発光層12とを備える。前記第1領域Aの第1面10aと前記第2領域Bの第2面15aとの間には、閉じられた複数の空洞18が周期的に形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1面及び第2面を有する第1導電型半導体を含む第1領域と、 第1面及び第2面を有する第2導電型半導体を含む第2領域と、 前記第1領域の第2面と前記第2領域の第1面との間に配置された発光層とを備え、 前記第1領域の第1面と前記第2領域の第2面との間に、閉じられた複数の空洞が周期的に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  G02B 6/12

FI (2)：

H01L33/00 C ,  G02B6/12 Z

F-Term (23)：

2H147AB04 ,  2H147AC02 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147FA04 ,  2H147FA09 ,  2H147FC03 ,  2H147FC08 ,  2H147FE07 ,  2H147FF08 ,  2H147FF09 ,  5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114541   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114543   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-128409   Applicant：日亜化学工業株式会社
• フォトニック結晶発光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-305297   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
• エッチング方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-262192   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-188335   Applicant：松下電器産業株式会社