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J-GLOBAL ID：200903036250603436

窒化物半導体素子

Inventor：
向井 孝志

About 向井 孝志

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128409
Publication number (International publication number)：1999191638
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いた紫外領域で高出力、高感度の素子を作製するこ主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf、閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。【構成】 n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、n型不純物濃度が5×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>未満のIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N層(0<a≦0.1)を有する活性層では、そのIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N層の膜厚を100オングストローム以上、1000オングストローム以下に調整する。一方、n型不純物濃度が5×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>以上のIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N層を有する活性層では、そのIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N層の膜厚を100オングストローム以上に調整する。365〜390nmの紫外発光、受光素子では活性層を量子構造としない方が出力が高い。
Claim (excerpt)：
n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、n型不純物濃度が5×1017/cm3未満のInaGa1-aN層を包含する活性層を有する窒化物半導体素子であって、前記InaGa1-aN層のa値が0より大きく0.1以下であり、かつそのInaGa1-aN層の膜厚が100オングストローム以上、1000オングストローム以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (24)
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