半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (13)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005188335
Publication number (International publication number)：2006049855
Application date： Jun. 28, 2005
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】従来よりも光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体多層膜の主面に対向する面に2次元周期構造の凹凸を形成し、他方の面に高反射率の金属電極を形成する。2次元周期構造の回折効果を利用することにより、凹凸を形成した面からの光取り出し効率を向上させることができる。また、高反射率の金属電極により、金属電極側に放射された光を凹凸が形成された面に反射させることにより、上記の2次元周期構造による効果を倍増させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された後、前記基板から剥離された多層半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記多層半導体層の面のうち前記基板と接していた第1主面に2次元周期構造が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (2)：

H01L33/00 A , H01L33/00 E

F-Term (13)：

5F041AA03 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CB15 , 5F041DA04 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA43 , 5F041DA55

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-366803 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

光取出率を改善するための発光デバイスにおける光学エレメントの形成
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-098327 Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-120576 Applicant：シャープ株式会社
発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-065489 Applicant：三洋電機株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2003, pp.878-879

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