フォトニック結晶発光デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004305297
Publication number (International publication number)：2005129939
Application date： Oct. 20, 2004
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】発光ダイオード(LED)における光子に対して放射される光の強度を表す抽出効率を高めるフォトニック結晶発光デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】フォトニック結晶構造は、III窒化物発光デバイスのn型層内に形成される。或る種の実施形態では、フォトニック結晶のn型層は、トンネル接合上に形成されている。デバイスは、第1伝導型の第1層と、第2伝導型の第1層と、第1伝導型の第1層と第2伝導型の第1層を分離する活性領域とを含んでいる。トンネル接合は、第1伝導型の第2層と、第2伝導型の第2層を含んでおり、第1伝導型の第1層を第1伝導型の第3層から分離している。フォトニック結晶構造は、第1伝導型の第3層内に形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

発光デバイスにおいて、 n型領域とp型領域の間に配置されている活性領域を含むIII窒化物半導体構造と、 n型領域内に形成されているフォトニック結晶構造と、を備えていることを特徴とするデバイス。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (4)：

5F041AA03 , 5F041CA08 , 5F041CA74 , 5F041CA87

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第5,955,749号、
米国特許出願第10/059,588号、

Cited by examiner (10)

GaAlAs発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-296723 Applicant：信越半導体株式会社
半導体面発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122720 Applicant：松下電器産業株式会社
発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-055491 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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