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J-GLOBAL ID：200903001064057415

発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法

Inventor：
竹田 美和

About 竹田 美和

, 
藤原 康文

About 藤原 康文

, 
小泉 淳

About 小泉 淳


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (2)： 平山 一幸 ,  海津 保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002265488
Publication number (International publication number)：2004103931
Application date： Sep. 11, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】希土類元素による発光強度が強く、かつ、発光波長が温度により変動しない、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造及びそれを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、半導体光増幅器並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】活性層2の両側に活性層2よりも禁制帯幅の大きいp型とn型のクラッド層3,4を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層2に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造1である。発光素子用希土類元素添加半導体積層構造1を用いた発光ダイオード,半導体レーザダイオード,半導体光増幅器が得られる。発光強度が強く、発光波長は温度に依存しない。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
活性層の両側に、該活性層よりも禁制帯幅の大きいp型とn型のクラッド層が積層されたダブルヘテロ接合構造であって、 上記活性層に希土類元素または、希土類元素と酸素が添加されたことを特徴とする、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (2)：
H01L33/00 A ,  H01S5/323
F-Term (15)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB11 ,  5F073BA03 ,  5F073CA07 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05 ,  5F073EA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 元素半導体基板上の半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-201964   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平1-155678
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-045505   Applicant：松下電器産業株式会社
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