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J-GLOBAL ID:200903022742335592

発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000045505
Publication number (International publication number):2001237460
Application date: Feb. 23, 2000
Publication date: Aug. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ZnOを活性層として用い、全酸化物半導体ヘテロ構造からなるpn接合を有する紫外域、可視域の発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板1の(0001)面上に、n型Zn0.8Mg0.2O層2を形成し、n型Zn0.8Mg0.2O層2の上に選択的にn型ZnO層3を形成し、n型ZnO層3の上にp型Zn0.75Ni0.25O層4を形成し、露出されたn型Zn0.8Mg0.2O層2の上およびp型Zn0.75Ni0.25O層4の上に、それぞれAuからなるオーミック電極5、6を形成することにより、ダブルヘテロ構造によるpn接合が形成でき紫外域の発光素子を実現できる。
Claim (excerpt):
活性層となるZnO層が、一導電型のZnMgO層および前記ZnMgO層とは逆の導電型のZnNiO層との間に形成されていることを特徴とする発光素子。
FI (3):
H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F
F-Term (12):
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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