半導体基板の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木下茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003140274
Publication number (International publication number)：2004342976
Application date： May. 19, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】SiGe層を有する半導体基板の製造方法において、SiGe層の薄層化を図り、しかも、歪みが緩和され、かつ、貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】原子ステップおよびテラス構造が形成されたアニールシリコン基板上、または、複数の結晶性シリコンからなる突起が形成されたアニールシリコン基板上に、SiGe層、または、SiGe層とSi層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

原子ステップおよびテラス構造が形成されたアニールシリコン基板上に、SiGe層、または、SiGe層とSi層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L29/161

FI (4)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324 X , H01L29/163

F-Term (24)：

5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AD09 , 5F045AF03 , 5F045AF16 , 5F045HA06 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052EA11 , 5F052EA15 , 5F052FA19 , 5F052GA01 , 5F052GB03 , 5F052GB04 , 5F052GB07 , 5F052GC03 , 5F052HA01 , 5F052HA03 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F052KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-070933 Applicant：日本電気株式会社
半導体デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-122818 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-132429 Applicant：松下電器産業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体シリコン結晶工学, 19930930, p.33-34
半導体シリコン結晶工学, 19930930, p.33-34

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