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J-GLOBAL ID:200903001445023991

半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998248826
Publication number (International publication number):1999145519
Application date: Sep. 02, 1998
Publication date: May. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い変換効率で波長変換することができる半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 波長変換機能を有する波長変換部と、波長選択性を有する光反射部は、波長選択性を有する光吸収部とを適宜組み合わせ、適宜所定の関係に配置することにより、1次光の外部への漏洩を遮断するとともに極めて高い効率で波長変換して外部に2次光を取り出すことができる半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置を提供するものである。
Claim (excerpt):
第1の波長を有する1次光を放出する発光層と、前記発光層の光取り出し側に設けられ、前記発光層から放出される前記1次光を吸収して前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する2次光を放出するものとして構成されている波長変換部と、前記波長変換部の光取り出し側に設けられ、前記波長変換部から放出される前記2次光に対する吸収率が低く、前記発光層から放出される前記1次光に対する吸収率が高いものとして構成されている光吸収部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3):
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 D ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (34)
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