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J-GLOBAL ID:200903001849535660
有機電界効果トランジスタ及び半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005350893
Publication number (International publication number):2006190998
Application date: Dec. 05, 2005
Publication date: Jul. 20, 2006
Summary:
【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】有機電界効果トランジスタ用の電極、すなわち有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を用いる。または、さらにアルカリ金属等を含む層を設けた電極とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
有機半導体材料を含む半導体層と、前記半導体層に接して、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を電極として有する有機電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7):
H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/320
, H01L 23/52
FI (7):
H01L29/78 616V
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 618B
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 M
, H01L29/58 G
, H01L21/88 M
F-Term (77):
4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD63
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104FF13
, 4M104GG09
, 4M104HH08
, 4M104HH15
, 5F033GG00
, 5F033GG03
, 5F033GG04
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH31
, 5F033HH36
, 5F033MM05
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033QQ08
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033XX09
, 5F033XX13
, 5F110AA01
, 5F110AA03
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN02
, 5F110NN62
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-092708
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-015057
Applicant:三菱化学株式会社
Cited by examiner (4)
-
有機半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-208210
Applicant:パイオニア株式会社
-
有機エレクトロルミネッセント素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-075834
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
-
有機トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-402664
Applicant:株式会社東芝
-
有機半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-265170
Applicant:パイオニア株式会社
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