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J-GLOBAL ID:200903001849535660

有機電界効果トランジスタ及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005350893
Publication number (International publication number):2006190998
Application date: Dec. 05, 2005
Publication date: Jul. 20, 2006
Summary:
【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】有機電界効果トランジスタ用の電極、すなわち有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を用いる。または、さらにアルカリ金属等を含む層を設けた電極とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
有機半導体材料を含む半導体層と、前記半導体層に接して、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を電極として有する有機電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7):
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (7):
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 M
F-Term (77):
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH31 ,  5F033HH36 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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