半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023605
Publication number (International publication number)：1998223747
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【目的】素子分離溝を充填する充填材の表面が基板表面より低くなっても、溝コーナ部での電界集中が発生しないようにして特性のキンクや逆短チャネル効果などの寄生効果が発生することのないようにする。【構成】シリコン基板1上にSiO2 膜2、窒化Si膜3を形成し、窒化Si膜をパターニングする。窒化Si膜3の側面に側壁スペーサ(図示なし)を形成し、この側壁スペーサと窒化Si膜3をマスクとして素子分離溝を開口する。側壁スペーサ除去した後、熱酸化を行って素子分離溝内壁にSiO2 膜7を形成する。充填材SiO2 膜を堆積しエッチバックして素子分離溝内を充填材により埋め込む(g)。窒化Si膜3を除去する(h)。SiO2 膜2を除去しゲート酸化膜10を形成し多結晶Si膜11からなるゲート電極を形成する(i)。

Claim (excerpt)：

(1)シリコン基板上にパッド酸化膜を介して耐酸化性膜を形成し、素子分離領域を形成する領域の前記耐酸化性膜をエッチング除去して素子分離溝形成用開口を形成する工程と、(2)スペーサ形成材料を堆積し異方性エッチングを行って前記素子分離溝形成用開口の側面にサイドウォール・スペーサを形成する工程と、(3)前記耐酸化性膜および前記サイドウォール・スペーサをマスクとして前記シリコン基板を異方性エッチングによりエッチングして素子分離用溝を形成する工程と、(4)熱酸化を行って前記素子分離用溝の内壁表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、(5)充填材を堆積し前記素子分離用溝内部以外の充填材を除去することにより前記素子分離用溝内部を充填材により埋め込む工程と、(6)前記耐酸化性膜をエッチング除去する工程と、を有し、この順で若しくは前記第(5)の工程と前記第(6)の工程との順序を入れ替えて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-074947 Applicant：株式会社豊田中央研究所
素子分離領域の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-110216 Applicant：シャープ株式会社
特開平3-156955

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