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J-GLOBAL ID：200903001909011134

マスクデータ作成装置、マスクデータ作成方法、露光マスク、半導体装置の製造方法及びマスクデータ作成プログラム

Inventor： 田中 聡 ,  福原 和也 ,  小谷 敏也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004360210
Publication number (International publication number)：2006171113
Application date： Dec. 13, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：

【課題】 設計データのフラット化によるプロセス近接効果補正データの増加を抑制するマスクデータ作成装置、マスクデータ作成方法、露光マスク、半導体装置の製造方法及びマスクデータ作成プログラムを提供する。【解決手段】 チップ領域を複数の区画領域に分割し、その区画領域中のそれぞれのマスクパターンがなすパラメータを基準にしてプロセス近接効果補正の必要な広域補正領域を複数の区画領域から抽出する抽出部130と、プロセス近接効果補正を行って、広域補正データを作成する広域補正部150と、広域補正データを広域補正領域に適用してマスクデータを作成するマスクデータ作成部160とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

チップ領域を複数の区画領域に分割し、該区画領域中のそれぞれのマスクパターンがなすパラメータを基準にしてプロセス近接効果補正の必要な広域補正領域を前記複数の区画領域から抽出する抽出部と、 前記プロセス近接効果補正を行って、広域補正データを作成する広域補正部と、 前記広域補正データを前記広域補正領域に適用してマスクデータを作成するマスクデータ作成部 とを備えることを特徴とするマスクデータ作成装置。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F1/08 A ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 502P

F-Term (3)：

2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H097LA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• マスクデータ作成方法及びその作成装置、マスクデータ補正方法及びマスクデータ補正装置コンピュータ読み取り可能な記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-048368   Applicant：株式会社東芝
• マスクパターンの作製方法及びフォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-182431   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

• フォトマスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-069693   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• フォトマスクのパターン補正方法およびそれにより補正されたフォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-379740   Applicant：シャープ株式会社
• マスクパターンの作製方法及びフォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-182431   Applicant：株式会社東芝
• 露光用マスクのマスクパターン設計方法、並びに半導体集積回路の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-147532   Applicant：ソニー株式会社