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J-GLOBAL ID：200903001963319861

窒化物膜の製造方法

Inventor： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  浅井 圭一郎 ,  小田 修
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001053188
Publication number (International publication number)：2002261019
Application date： Feb. 27, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。【解決手段】CVD法によるエピタキシャル成長によって、第1のIII族窒化物層3及び第2のIII族窒化物層4を順次に形成し、第1のIII族窒化物層3の組成Alx1Gax2Inx3N(x1+x2+x3=1)と、第2のIII族窒化物層4の組成Aly1Gay2Iny3N(y1+y2+y3=1)との間において、0.5≦x1≦1.0及び0≦y1≦x1-0.2なる関係を満たすような界面2を形成する。

Claim (excerpt)：

CVD法により、III族窒化物膜を製造する方法であって、前記III族窒化物膜中に、膜厚方向のAl含有量の異なる界面を形成し、前記界面下層部分の組成Alx1Gax2Inx3N(x1+x2+x3=1)と、前記界面上層部分の組成Aly1Gay2Iny3N(y1+y2+y3=1)との間において、0.5≦x1≦1.0及び0≦y1≦x1-0.1なる関係を満たすことを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (39)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030JA20 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA58 ,  5F045DA61 ,  5F045DA62 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045GB11 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237501   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030652   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-264381   Applicant：富士通株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-037381   Applicant：豊田合成株式会社