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J-GLOBAL ID：200903001978874713

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor：
篠浦 治

About 篠浦 治

, 
佐藤 雄一

About 佐藤 雄一


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095214
Publication number (International publication number)：1998275948
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 信頼性が高いことはもとより、簡単な製造プロセスにより安価に歩留良く製造できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下地導電膜が、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であるように構成する。
Claim (excerpt)：
基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下地導電膜が、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  C25D 5/02 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/12
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  C25D 5/02 E ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • ハイブリッド磁気センサー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-327696   Applicant：旭化成工業株式会社
  • 磁気センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-223445   Applicant：旭化成工業株式会社
  • 半導体磁気センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198527   Applicant：松下電器産業株式会社
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Cited by examiner (2)
  • ハイブリッド磁気センサー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-327696   Applicant：旭化成工業株式会社
  • 磁気センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-223445   Applicant：旭化成工業株式会社

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