縦型電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001100400
Publication number (International publication number)：2002299613
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】電気的特性が優れたゲート絶縁膜を具備する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10上に形成された突出部13と、突出部13の側面に形成され、ハロゲン元素を含有するゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上に形成されたゲート電極15とを具備することを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板表面に形成された突出部と、前記突出部の下端部に形成されたソース領域と、前記突出部の上端部に形成されたドレイン領域と、ハロゲン元素を添加することにより、前記突出部の下端部から上端部にかけて膜厚が均一化された前記突出部側面のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜表面に形成されたゲート電極とを具備する縦型電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 B , H01L 21/316 P , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 658 F

F-Term (31)：

5F058BA01 , 5F058BA04 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BE04 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F140AC23 , 5F140BB04 , 5F140BC15 , 5F140BD09 , 5F140BD17 , 5F140BE06 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF33 , 5F140BF38 , 5F140BF44 , 5F140BG32 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BH05 , 5F140BH30 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140CC03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の構造および製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-175407 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-190303 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-252356 Applicant：株式会社東芝

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