Pat
J-GLOBAL ID:200903002076647842
半導体素子の製造方法及びその装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
河備 健二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000346857
Publication number (International publication number):2002151513
Application date: Nov. 14, 2000
Publication date: May. 24, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子の製造工程における窒化膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質の窒化膜を製造する方法及びその装置の提供。【解決手段】 プラズマCVD法による半導体素子における窒化膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に珪素含有ガス及び窒素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法及び装置。
Claim (excerpt):
プラズマCVD法による半導体素子における窒化膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/318
, C23C 16/34
, C23C 16/455
, C23C 16/515
, H01L 21/31
FI (5):
H01L 21/318 B
, C23C 16/34
, C23C 16/455
, C23C 16/515
, H01L 21/31 C
F-Term (58):
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030BA40
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030GA14
, 4K030JA14
, 4K030KA30
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AB31
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC03
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AC16
, 5F045AC18
, 5F045AD04
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF07
, 5F045DP22
, 5F045EB10
, 5F045EE14
, 5F045EF02
, 5F045EF10
, 5F045EF20
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH08
, 5F045EH12
, 5F045EH13
, 5F045EH19
, 5F058BB02
, 5F058BB06
, 5F058BB07
, 5F058BC08
, 5F058BC09
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF25
, 5F058BF30
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BG04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
-
特開平3-219082
-
特開平4-235283
-
表面処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-268000
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
特開平4-358076
-
放電プラズマ処理方法及び放電プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-154220
Applicant:積水化学工業株式会社
-
液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-077787
Applicant:株式会社リコー
-
大気圧プラズマ表面処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-230768
Applicant:神鋼電機株式会社
-
プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-045759
Applicant:株式会社イ-シ-技研
-
プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-027875
Applicant:株式会社日立製作所
-
傾斜機能材料の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-116667
Applicant:積水化学工業株式会社
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Cited by examiner (5)
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特開平3-219082
-
特開平4-235283
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表面処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-268000
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
特開平4-358076
-
放電プラズマ処理方法及び放電プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-154220
Applicant:積水化学工業株式会社
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