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J-GLOBAL ID：200903002149805654

プラズマ処理装置

Inventor：
宮本 高志

About 宮本 高志

, 
武石 浩司

About 武石 浩司

, 
鈴木 端生

About 鈴木 端生


Applicant, Patent owner：
芝浦メカトロニクス株式会社

About 芝浦メカトロニクス株式会社


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007010777
Publication number (International publication number)：2007173853
Application date： Jan. 19, 2007
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】処理速度の低下やパーティクルの形成に確実且つ容易に対処できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ10を介さずにクリーニングガスを排出できるバイパスライン50を設けることにより、チャンバなどの汚染を防ぎつつ効率的なクリーニングが可能となる。また、放電管22に加熱手段を付加することにより、反応生成物を加熱・蒸発させて迅速に除去できる。また、輸送管30の内壁に、フッ化アルミニウムなどの反応生成物を予め被覆しておくことにより、経時的なプラズマ処理速度の変動を抑えることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
放電管と電磁波導入手段とを有し、前記放電管の中に導入されたガスに電磁波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、 被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理チャンバと、 前記プラズマ発生室と前記処理チャンバとを接続する輸送管と、 前記放電管を加熱する加熱手段と、 前記被処理物を処理するためのプロセスガスを前記プラズマ発生室に導入する第1のガス導入手段と、 クリーニングガスを前記プラズマ発生室に導入する第2のガス導入手段と、 を備え、 前記チャンバ内を大気圧よりも減圧しつつ、前記放電管の内部において前記プラズマを生成することにより分解したガスを前記チャンバ内に導入することにより前記被処理物を処理可能としたプラズマ処理装置であって、 前記加熱手段により前記放電管を加熱することにより前記放電管の内壁に堆積した反応生成物を除去可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (2)：
H01L21/302 101D ,  H05H1/46 B
F-Term (9)：
5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB18 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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