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J-GLOBAL ID：200903002186110240

基板処理装置及び基板処理方法

Inventor： 斎藤 孝行 ,  鈴木 作 ,  山田 かおる ,  伊藤 賢也 ,  亀澤 正之 ,  山口 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (4)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002213078
Publication number (International publication number)：2004055927
Application date： Jul. 22, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】処理液を飛散させることなく基板に供給することができ、これにより、チャンバー内の清浄雰囲気を維持することができると共に、処理液の使用量を減少させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板Wを略水平に保持しつつ回転させる回転保持部11と、回転する基板Wの周縁部に、処理液が基板Wに対して静止するように該処理液を供給する処理液供給部15とを備えた。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板を略水平に保持しつつ回転させる回転保持部と、回転する基板の周縁部に、処理液が基板に対して静止するように該処理液を供給する処理液供給部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L21/306 ,  H01L21/304

FI (3)：

H01L21/306 R ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/306 F

F-Term (6)：

5F043AA22 ,  5F043BB18 ,  5F043DD30 ,  5F043EE29 ,  5F043EE33 ,  5F043GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 基板処理装置およびそれを備えたメッキ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-089499   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• ルテニウム膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-356589   Applicant：株式会社荏原製作所
• シリコンウエハのエッジ鏡面化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-091932   Applicant：エム・イー・エム・シー株式会社
• シリコン残渣除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-288971   Applicant：ヤマハ株式会社
• 液処理装置及び液処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-135226   Applicant：東京エレクトロン株式会社