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J-GLOBAL ID：200903058184779106

半導体発光素子

Inventor：
奥山 浩之

About 奥山 浩之

, 
加藤 豪作

About 加藤 豪作

, 
伊藤 哲

About 伊藤 哲


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106968
Publication number (International publication number)：1995321375
Application date： May. 20, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体発光素子の長寿命化を図る。【構成】 Zn(Cd)Se系活性層45を挟んでZn(S)Se系ガイド層44,46とZnMgSSe系クラッド層43,47とが配置されたII-VI族化合物半導体発光素子において、ガイド層44,46が活性層45と接する側に設けられた100Å〜800Åの厚さのアンドープ層61,63と、これとは反対側に設けられた不純物ドープ層62,64とより構成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上の第1のZnMgSSe系クラッド層と、前記第1のクラッド層上の第1のZn(S)Se系又はZnMgSSe系ガイド層と、前記第1のガイド層上のZn(Cd)Se系活性層と、前記活性層上の第2のZn(S)Se系又はZnMgSSe系ガイド層と、前記第2のガイド層上の第2のZnMgSSe系クラッド層と、前記第1及び第2のガイド層のうち、少なくとも一方は、活性層と接する側の100Å〜800Åの厚さのアンドープ層と、これとは反対側の不純物ドープ層とより成ることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 特開平4-049691
  • 特開平2-033990
  • 半導体レーザー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229356   Applicant：ソニー株式会社
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