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J-GLOBAL ID:200903002386985764

表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 晴敏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999166132
Publication number (International publication number):2000352941
Application date: Jun. 14, 1999
Publication date: Dec. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】 表示装置の画素毎に設けた発光素子OLEDを駆動する為ボトムゲート構造の薄膜トランジスタTFTを採用した場合、バックチャネル現象や短チャネル効果のためOLEDに供給するドレイン電流が変動するという課題がある。【解決手段】 TFTは、OLEDに供給される電流の通路となるソースS、チャネルCh及びドレインDが半導体薄膜4に形成されている。チャネルChはゲート電極2に印加される信号に応じて通路を流れる電流を制御し、制御された電流をドレインDからOLEDに供給する。TFTは、ドレインDからOLEDにかけて発生する電界の影響を遮断する為に、チャネルChの上方にシールド用の導体膜8が配されており、OLEDに供給される電流を安定化する。加えて、TFTは、ドレインDの電圧上昇に伴うチャネルChの実効長の短縮化を抑制する為に充分な不純物がチャネルChに注入されており、これにより更にOLEDに供給される電流を安定化する。
Claim (excerpt):
互いに交差する走査線及び信号線と、これらの交差部に配された画素とからなり、前記画素は、供給される電流に応じて発光する電流駆動型の発光部と、該走査線及び該信号線からの信号に応じて動作し該発光部に電流を供給する回路部とからなり、前記回路部は、ゲート電極とその上面に重ねられたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の上方に重ねられた半導体薄膜とからなる薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは、該発光部に供給される電流の通路となるソース、チャネル及びドレインを該半導体薄膜に備え、前記チャネルは該ゲート電極に印加される信号に応じて該通路を流れる電流を制御し、該制御された電流を該ドレインを介し該発光部に供給する表示装置において、前記薄膜トランジスタは、該ドレインから該発光部にかけて発生する電界の影響を遮断する為に、該チャネルの上方にシールド用の導体膜が配されており、該発光部に供給される電流を安定化することを特徴とする表示装置。
IPC (4):
G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  G09G 3/30 ,  H05B 33/14
FI (5):
G09F 9/30 338 ,  G09G 3/30 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 F
F-Term (48):
3K007AB02 ,  3K007AB06 ,  3K007AB07 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C094AA03 ,  5C094AA13 ,  5C094AA23 ,  5C094AA25 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (10)
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