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J-GLOBAL ID：200903002481751983

プラズマCVD装置および成膜方法

Inventor：
中野 美尚

About 中野 美尚

, 
山崎 貴久

About 山崎 貴久

, 
村上 裕彦

About 村上 裕彦


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (3)： 志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 慎吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006074246
Publication number (International publication number)：2007247014
Application date： Mar. 17, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：
【課題】プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】基板5が配置されるチャンバ10と、チャンバ10に接続され、基板5と対向するようにチャンバ10内に開口する開口部18を備えた管状部材20と、管状部材20の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置24と、管状部材20に原料ガスを供給する原料ガス供給装置22とを有し、管状部材20の開口部18の内径dは、基板5の外径Dより小さく形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
被処理基板が配置されるチャンバと、 前記チャンバに接続され、前記被処理基板と対向するように前記チャンバ内に開口する開口部を備えた管状部材と、 前記管状部材の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、 前記管状部材に原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、を有し、 前記管状部材の開口部の内径は、前記被処理基板の外径より小さく形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4)：
C23C 16/455 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/452 ,  H01L 21/285
FI (4)：
C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  C23C16/452 ,  H01L21/285 C
F-Term (15)：
4K030DA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030KA15 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD10 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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