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J-GLOBAL ID：200903053158517185

成膜装置

Inventor：
大島 康弘

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小島 康彦

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石坂 忠大

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吉井 直樹

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重岡 隆

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Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

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Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003320217
Publication number (International publication number)：2005082888
Application date： Sep. 11, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、プラズマ発生装置への原料ガスの流入を防止すると共に流入しても原料ガスの固化を防止することのできる成膜装置を提供することを課題とする。【解決手段】 複数種類の原料ガスを交互に供給しながら基板上に薄膜を生成する成膜装置は、基板Wが配置される処理チャンバ2を有する。処理チャンバ2には、原料ガスの少なくとも一種類のガスをプラズマ化して処理チャンバに供給するプラズマ発生装置20が接続される。プラズマ発生装置20のうち、原料ガスが接触する部分である遠隔室21及びバタフライバルブ24を、加熱機構23により加熱する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複数種類の原料ガスを交互に供給しながら基板上に薄膜を生成する成膜装置であって、 前記基板が配置される反応室と、 該反応室に接続され、前記原料ガスの少なくとも一種類のガスをプラズマ化して前記反応室に供給するプラズマ発生装置と 該プラズマ発生装置のうち、前記原料ガスが接触する部分を加熱する加熱機構と を有することを特徴とする成膜装置。
IPC (5)：
C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/507 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31
FI (5)：
C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/507 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/31 C
F-Term (28)：
4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA11 ,  4M104BB32 ,  4M104DD44 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF23 ,  4M104HH20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EG07 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第5916365号明細書
  • 米国特許第6200893号明細書
Cited by examiner (12)
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