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J-GLOBAL ID：200903002563278283

Ni合金ターゲットおよびNi合金薄膜

Inventor： 渡辺 宏幸 ,  遠北 正和 ,  杉原 雅博 ,  小野 勝史
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (2)： 鴨田 朝雄 ,  鴨田 哲彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003414662
Publication number (International publication number)：2005171341
Application date： Dec. 12, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】 ターゲット特性(飽和磁化)に優れた使用効率の高いスパッタリングターゲット、かつ、電極膜特性(導電性および密着強度)に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 Tiを1〜20質量%、Cuを1〜40質量%含み、残部が実質的にNiである組成を有するスパッタリングターゲットである。また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にNi合金薄膜を形成することにより、2層電極膜を作製する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

Tiを1〜20質量%、Cuを1〜40質量%含み、残部が実質的にNiである組成を有するスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C22C19/03 ,  C23C14/34

FI (2)：

C22C19/03 G ,  C23C14/34 A

F-Term (4)：

4K029BA25 ,  4K029DC01 ,  4K029DC02 ,  4K029DC04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• チップ抵抗器用電極膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-311064   Applicant：住友金属鉱山株式会社