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J-GLOBAL ID:200903018458240380 チップ抵抗器用電極膜
Inventor:
,
Applicant, Patent owner: Agent (1):
田中 増顕
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001311064
Publication number (International publication number):2003124001
Application date: Oct. 09, 2001
Publication date: Apr. 25, 2003
Summary:
【要約】【目的】導電性と密着強度が優れたチップ低抗器用電極を提供する。【構成】セラミクスを基板とし、セラミクスとの接合層及び導電層としてNi-Cr合金膜、Ni-Ti合金膜、Ni-V合金膜のいずれかの金属薄膜を設ける。
Claim (excerpt):
セラミクスを基板とし、セラミクスとの接合層及び導電層としてNi-Cr合金膜、Ni-Ti合金膜、Ni-V合金膜のいずれかの金属薄膜からなるチップ抵抗器用電極膜。
IPC (4):
H01C 1/14
, C22C 19/03
, C22C 19/05
, C23C 14/14
FI (4):
H01C 1/14 Z
, C22C 19/03 M
, C22C 19/05 J
, C23C 14/14 D
F-Term (13):
4K029AA04
, 4K029AA07
, 4K029BA25
, 4K029BC05
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 5E028AA04
, 5E028BB01
, 5E028CA01
, 5E028EA01
, 5E028JC05
, 5E028JC06
, 5E028JC12
Patent cited by the Patent: Cited by examiner (4) -
特開平1-189102
- SiC半導体デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-004177
Applicant:富士電機株式会社
-
特開昭63-172401
- 抵抗器とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-051257
Applicant:松下電器産業株式会社
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