半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995293580
Publication number (International publication number)：1997116234
Application date： Oct. 17, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】特性が良好で、信頼性が高く、かつ長寿命の半導体発光素子などの半導体装置を提供する。【解決手段】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、p側電極5が設けられるp型ZnTeコンタクト層3中に金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層として例えばp型Znx Cd1-x Sey Te1-y (0≦x≦1.0、0≦y≦0.875)層4を設ける。この金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層としては、p型ZnSe層やp型Znx Cd1-x Sy Te1-y(0≦x≦1.0、0≦y≦0.58)層を用いてもよい。また、GaN系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子においては、p側電極が設けられるp型GaN層中に金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層として例えばp型GaN/AlGaN超格子層を設ける。

Claim (excerpt)：

半導体層と、上記半導体層上の金属電極とを有する半導体装置において、上記半導体層中に上記半導体層と異種の半導体からなる金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層が少なくとも一層設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-114467 Applicant：ソニー株式会社
II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法およびII-VI族化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116901 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page